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IXTH180N085T
IXTQ180N085T
240
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
200
160
120
T J = -40oC
25oC
125oC
160
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
150oC
80
80
60
40
40
20
0
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
40
80
120
160
200
240
270
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
210
180
150
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V DS = 43V
I D = 25A
I G = 10mA
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10,000
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
1.00
0.10
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
f = 1 MHz
C rss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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